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Número de pieza(s) : XD010-12S-D4F XD010-12S-D4FY
RF Micro Devices
RF Micro Devices
componentes Descripción : 869 MHz to 894 MHz CLASS AB 15 W POWER AMPLIFIER MODULE
Número de pieza(s) : XD010-12S-D4F
Sirenza Microdevices => RFMD
Sirenza Microdevices => RFMD
componentes Descripción : 869-894 MHz CLASS AB 15W POWER AMPLIFIER MODULE
Número de pieza(s) : QPP-019
Xemod -> Mprise
Xemod -> Mprise
componentes Descripción : 60W, 869-894 MHz CLASS AB POWER Stage
Número de pieza(s) : QPP-003
Xemod -> Mprise
Xemod -> Mprise
componentes Descripción : 60W, 869-894 MHz CLASS AB POWER Stage
Número de pieza(s) : PE8706
Pasternack Enterprises, Inc.
Pasternack Enterprises, Inc.
componentes Descripción : 4 Section Bandpass Filter With SMA Female Connectors
Número de pieza(s) : BLF6G10LS-135R
NXP Semiconductors.
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : POWER LDMOS transistor
Número de pieza(s) : XD010-14S-D4F XD010-14S-D4FY
RF Micro Devices
RF Micro Devices
componentes Descripción : 925 MHz to 960 MHz CLASS A/AB 15 W POWER AMPLIFIER MODULE
Número de pieza(s) : SD1407
Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
componentes Descripción : NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
Número de pieza(s) : MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1
Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor
componentes Descripción : RF POWER Field Effect Transistors
Número de pieza(s) : HF20-12S ASI10595
Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
componentes Descripción : NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
Número de pieza(s) : BLC6G10-200 BLC6G10LS-200
Philips Electronics
Philips Electronics
componentes Descripción : UHF POWER LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF6G10-135RN BLF6G10LS-135RN
NXP Semiconductors.
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : POWER LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF6G10LS-200R
NXP Semiconductors.
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : POWER LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF6G10-200RN BLF6G10LS-200RN
NXP Semiconductors.
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : POWER LDMOS transistor
Número de pieza(s) : PTF10161
Ericsson
Ericsson
componentes Descripción : 165 Watts, 869894 MHz GOLDMOS ® Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : BLF6G10-200RN BLF6G10LS-200RN
Ampleon
Ampleon
componentes Descripción : POWER LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF6G10-135RN BLF6G10LS-135RN
Ampleon
Ampleon
componentes Descripción : POWER LDMOS transistor
Número de pieza(s) : MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor
componentes Descripción : RF POWER Field Effect Transistors
Número de pieza(s) : BLF6G10LS-200
NXP Semiconductors.
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : POWER LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLW77
Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
componentes Descripción : NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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